| HS编码 | 名称 |
|---|---|
| 8486202100 | 预镀膜机(旧) |
| 8486202100 | 镀膜机 |
| 8486202100 | 钨膜化学气相沉积设备 |
| 8486202100 | 金属有机物化学气相淀积设备 |
| 8486202100 | 金属有机物化学气相沉积设备 |
| 8486202100 | 金属有机物化学气相沉积系统 |
| 8486202100 | 金属有机物化学气相沉积台 |
| 8486202100 | 金属有机物化学气相沉淀炉 |
| 8486202100 | 金属有机源气相沉积设备 |
| 8486202100 | 金属有机化合物气相淀积法设备/成套散件 |
| 8486202100 | 金属有机化合物气相淀积法设备 |
| 8486202100 | 酸化膜成长装置 |
| 8486202100 | 连续式电子束蒸发系统 |
| 8486202100 | 背封炉（旧） |
| 8486202100 | 等离子沉积设备(旧) |
| 8486202100 | 等离子增强型化学气相沉积台（旧） |
| 8486202100 | 等离子增强化学气象沉积系统（见清单） |
| 8486202100 | 等离子增强化学气相沉积装置 |
| 8486202100 | 等离子增强化学气相沉积系统 |
| 8486202100 | 等离子增强化学气相沉积硅镀膜系统主机 |
| 8486202100 | 等离子增强化学气相沉积硅镀膜系统 |
| 8486202100 | 等离子化学气相沉积装置 |
| 8486202100 | 等离子加强型化学气体淀积装置 |
| 8486202100 | 等离子体增强化学气相沉积装置 |
| 8486202100 | 等离子体CVD纳米材料生长系统 |
| 8486202100 | 立式扩散炉(旧)01年产,已用17年,还可用8年 |
| 8486202100 | 磁性薄膜联合生长系统 |
| 8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积系统 |
| 8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积仪(旧) |
| 8486202100 | 电浆辅助化学气相沉积(旧) |
| 8486202100 | 水平化学气相沉积装置(旧） |
| 8486202100 | 气体混合柜成套散件/RESI |
| 8486202100 | 材料沉积系统(实验室用) |
| 8486202100 | 有机金属化学气相沉积炉 |
| 8486202100 | 旧钨化学气相沉积装置 |
| 8486202100 | 旧化学气相沉积装置,原价JPY4000000/台 |
| 8486202100 | 旧低压化学气相沉积装置,原价JPY4000000/台 |
| 8486202100 | 微波辅助化学气相沉积系统 |
| 8486202100 | 射频等离子增强化学气相沉积系统 |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)97# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)94# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)92# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)86# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)83# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)82# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)77# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)76# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4033# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4032# |
| 8486202100 | 射频发生器(CVD装置用)4030# |
工信部备案:粤ICP备2023016857号-1 
粤公网安备 44060602002471号 
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